思坦科技在无掩膜光刻技能获得重大成果

  （全球TMT2024年10月21日讯）由思坦科技与南边科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技能创新中心（姑苏）联合攻关的重大成果——根据高功率 AlGaN深紫外Micro-LED显现的无掩膜光刻技能，于10月15日正式在世界顶尖威望学术期刊Nature Photonics上宣布。思坦科技Micro-LED研究院青年研究员冯锋博士为榜首作者，思坦科技创始人刘召军博士为通讯作者。本项作业中由思坦科技供给驱动IC芯片，并承当演示运用作业。

  在传统光刻过程中，掩膜版的制作和替换本钱昂扬，光刻功率也遭到多重约束。而思坦科技研制的高功率AlGaN深紫外Micro-LED技能，运用无掩膜光刻的办法，不只处理了半导体制作中的关键技能瓶颈，还供给了一条制作本钱更低、曝光功率更加高的处理方案。该技能运用铝镓氮（AlGaN）资料制作动身光波长为270纳米的深紫外Micro-LED，这些LED像素尺度仅为3微米，克服了传统光刻中的光功率约束，完成图画与光源集成。

  现在，这种根据深紫外Micro-LED显现技能的无掩膜光刻办法已成功运用于Micro-LED显现屏幕制作中。这一打破明显节省了光刻掩模板制作的高本钱，一起在功率上远超电子束直写的无掩膜曝光技能。接下来，思坦团队将持续提高AlGaN深紫外Micro-LED的功能，并对原型机进行改善，为半导体范畴供给更高效、更具本钱效益的芯片制作处理方案。